另外，年谋空位缺陷的存在可以同时调整表面亲水性使得电解质和材料表面有更好的接触。

划吉横(b)疏水纳米通道中水流动示意图。林电2011年获得第三世界科学院化学奖。

网网架投稿及内容合作可加编辑微信：cailiaorenvip。(b)云母-石墨烯表面之间迅速形成1.3纳米厚的界面液膜，纵主证明电解质快速浸润石墨烯表面。年谋(f)通过三维纳米通道进行液体分离。

划吉横图12液体浸润限域策略制备纳米材料(a)通过液体浸润限域策略在一维纳米通道中制备纳米材料示意图。林电(e)CNT填充[bmim][PF6]离子液体的TEM图像。

网网架图17三维纳米通道中离子液体的分子模拟(a)CNT限域离子液体（EMI-TFSI）结构的示意图。

此外，纵主基于纳米通道中的浸润性发展出了各种通道的广泛应用。年谋请确保培训开始前到账。

注2：划吉横本次培训费用不包含食宿及交通费，请自行解决。林电在材料领域各大权威期刊中均不乏他的作品。

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